III 族氮化物 AlN、GaN 和 InN 的一致能带参数集
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
我们利用 G0W0 近似下的多体微扰理论，推导出了闪锌矿和纤锌矿相 AlN、GaN 和 InN 的一致能带参数集（包括带隙、晶体场分裂、带隙形变势、有效质量、Luttinger 参数和 EP 参数）。G0W0 方法与精确交换优化有效势方法（OEPx）下的密度泛函理论（DFT）计算相结合，以克服局域密度或梯度修正 DFT 泛函（LDA 和 GGA）的局限性。Gamma 点附近的能带结构被直接用于参数化一个 4x4 k.p 哈密顿量，以捕捉导带中的非抛物性以及纤锌矿相中更为复杂的价带结构。我们证明，以此方式推导出的能带参数与现有实验数据非常吻合，并为所有尚未通过实验确定的参数提供了可靠的预测。
引用
@article{arxiv.0801.0421,
title = {Consistent set of band parameters for the group-III nitrides AlN, GaN, and InN},
author = {Patrick Rinke and Momme Winkelnkemper and Abdallah Qteish and Dieter Bimberg and Jorg Neugebauer and Matthias Scheffler},
journal= {arXiv preprint arXiv:0801.0421},
year = {2009}
}
备注
16 pages including 4 figures; related publications can be found at http://www.fhi-berlin.mpg.de/th/th.html