III族氮化物中的应变与晶体场分裂反转
材料科学
2021-08-26 v1
摘要
纤锌矿相 III 族氮化物（AlN、GaN、InN）自 90 年代以来因其在光电子学中的成功应用而引起了极大兴趣。本文利用杂化和常规密度泛函理论，对 AlN、GaN 和 InN 的结构、弹性和电子性质进行了全面研究，并比较了这三种化合物的特性。我们直接比较了它们电子结构的特征，包括与负晶体场分裂相关的价带顶反转及其与 AlN 系统中受主掺杂挑战的关系。通过确定弹性常数和杨氏模量，我们提供了一个简单模型，将参数 相关的形变能与有效晶体场分裂联系起来，揭示了内部应变与晶体场分裂之间的直接关系。
引用
@article{arxiv.2108.10968,
title = {Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides},
author = {Fábio D. Bonani and Anderson H. Siqueira and Horácio W. Leite Alves and Guilherme M. Sipahi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.10968},
year = {2021}
}
备注
7 pages, 3 figures and 4 tables