枸杞结构对 GaN/AlN 量子阱自旋分裂的影响
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1 材料科学
摘要
一种新机制 (ΔC1-ΔC3 耦合) 用于解释枸杞结构 GaN 的自旋分裂，该机制源于枸杞结构的本征效应 (能带折叠与结构反演不对称性)。能带折叠效应产生两个导带 (ΔC1 和 ΔC3)，其中 p 波概率在 k_z 接近反能带区时发生显著变化。由 ΔC1-ΔC3 耦合和枸杞结构反演不对称性引起的自旋分裂能远大于传统 Rashba 或 Dresselhaus 效应所计算的大小。当我们将该耦合作用于 GaN/AlN 量子阱时，发现自旋分裂能随电场而显著可调。基于此机制，我们提出一种基于 In_xGa_{1-x}N/In_yAl_{1-y}N 的 p 波增强型自旋极化场效应晶体管，用于器件应用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0510831,
title = {Wurtzite Effects on Spin Splitting of GaN/AlN Quantum Wells},
author = {Ikai Lo and W. T. Wang and M. H. Gau and S. F. Tsay and J. C. Chiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0510831},
year = {2009}
}
备注
12 pages, 4 figures (total 16 pages)