自旋极化一维亚带态交叉处的相互作用效应
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们报告了在 GaAs/AlGaAs 异构结构中定义的球形一维(1D) 线的电导测量结果，施加面内磁场 B。当泡克能等于 1D 亚带能级间距时，自旋分裂的亚带 N(up-spin) 与 (N+1)(down-spin) 交叉，其中 N 为自旋退化 1D 亚带的指数。在 N=1(up-spin) 和 N=2(down-spin) 亚带交叉处，出现自发分裂，导致电导结构从 1.5(2e^2/h) 台阶演化。随着 B 的进一步增大，该结构发展为一个台阶并下降至 2e^2/h。随着温度和磁场的增加，该结构表现出 0.7 结构的特征。我们的结果表明，在低密度下， whenever 两个自旋相反的 1D 亚带交叉时，都会发生自发自旋分裂。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0308550,
title = {Interaction Effects at Crossings of Spin-Polarised One-Dimensional Subbands},
author = {A. C. Graham and K. J. Thomas and M. Pepper and N. R. Cooper and M. Y. Simmons and D. A. Ritchie},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0308550},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 4 figures, to be published in Physical Review Letters