弱约束量子线中电子晶格的初期形成
介观与纳米尺度物理
2009-07-10 v1 强关联电子
摘要
我们利用GaAs/AlGaAs异质结中的分裂栅和顶栅组合，研究了当约束强度V_conf和载流子密度n_1D变化时，一维量子线的低温输运性质。在中等V_conf和n_1D下，我们观察到电导跃升至4e²/h，表明形成了双线。进一步降低n_1D后，2e²/h的平台重新出现。我们的结果显示了在相互作用的准一维量子线中电子晶格形成的初期迹象。在面内磁场存在下，两条线中自旋对齐能级的混合导致了更复杂的态。
引用
@article{arxiv.0907.1634,
title = {Incipient Formation of an Electron Lattice in a Weakly-Confined Quantum Wire},
author = {W. K. Hew and K. J. Thomas and M. Pepper and I. Farrer and D. Anderson and G. A. C. Jones and D. A. Ritchie},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.1634},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures