应变GaN空穴迁移率的第一性原理研究
材料科学
2019-09-04 v1
摘要
氮化物半导体在LED和蓝光光盘等光电器件中无处不在。GaN在功率电子中进一步应用的一个主要限制是其低空穴迁移率。为应对这一挑战，本文采用第一性原理玻尔兹曼输运形式体系，包含全部电子-声子散射过程、自旋轨道耦合和多体准粒子能带结构，研究了纤锌矿GaN的声子限制迁移率。我们证明迁移率由声学形变势散射主导，并预测通过将分裂-off空穴态抬升至轻空穴和重空穴之上可显著提高空穴迁移率。这可以通过应变反转晶体场分裂的符号，或通过超快红外光脉冲相干激发A光学声子来实现。
引用
@article{arxiv.1908.02072,
title = {Hole mobility of strained GaN from first principles},
author = {Samuel Poncé and Debdeep Jena and Feliciano Giustino},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.02072},
year = {2019}
}
备注
17 pages and 11 figures