k·p 方法在联合密度泛函理论所得 GaAs 能带结构中的应用
计算物理
2019-11-26 v1 材料科学
摘要
在平面波密度泛函理论（DFT）程序 JDFTx 框架下，使用 libXC 中的 Becke 86 二维泛函与 PBE 交换关联泛函计算了闪锌矿（ZB）结构 GaAs 的结构与电子性质。采用标准优化模守恒 Vanderbilt 赝势计算优化晶格常数、带隙与自旋轨道分裂参数。优化晶格常数与直接带隙的计算值与其他已发表的理论和实验结果吻合良好。通过包含自旋轨道（SO）耦合，在抛物线近似下研究导带与价带以计算有效质量。有效质量与自旋轨道分裂参数的计算值与最新结果吻合良好。本工作对半导体自旋电子器件相关的更多计算研究具有参考价值。
引用
@article{arxiv.1911.10724,
title = {Application of k . p method on band structure of GaAs obtained through joint density functional theory},
author = {Waqas Mahmood and Bing Dong},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.10724},
year = {2019}
}