潜在太阳能吸收剂 Cu3PSe4 的电子与光学性质
材料科学
2012-09-27 v1
摘要
我们从理论上研究了半导体 Cu3PSe4 的电子和光学性质。我们还报告了对 Cu3PSe4 和 Cu3PS4 的漫反射光谱测量，结果表明前者的带隙为 1.40 eV。杂化泛函计算与该值吻合良好，并揭示该带隙为直接带隙。计算得出的可见光区域光学吸收谱与 GaAs 相似，对于 {\lambda} < 630 nm，其 {\alpha} > 5x10^4 cm^-1。我们得出结论，Cu3PSe4 的光学性质处于光伏太阳能吸收材料所需的理想范围内。
引用
@article{arxiv.1209.5780,
title = {Electronic and optical properties of potential solar absorber Cu3PSe4},
author = {D. H. Foster and V. Jieratum and R. Kykyneshi and D. A. Keszler and G. Schneider},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.5780},
year = {2012}
}
备注
3 pages, 3 figures