效率达3%的CuSbSe2光伏器件

Adam Welch; Lauryn Baranowski; Pawel Zawadzki; Stephan Lany; Colin Wolden; Andriy Zakutayev

效率达3%的CuSbSe2光伏器件

材料科学 2015-05-12 v1

作者: Adam Welch , Lauryn Baranowski , Pawel Zawadzki , Stephan Lany , Colin Wolden , Andriy Zakutayev

摘要

现有薄膜太阳能电池技术近期的技术与商业成功促使人们探索下一代光伏（PV）吸收层材料。具有特别科学意义的是诸如CuSbSe $_2$ 的化合物，其不具有传统的四面体半导体键合。本文中，我们展示了采用常规衬底器件结构、在380-410{\,deg}C下通过自调节溅射工艺制备的1.5 {\mu}m厚CuSbSe $_2$ 光伏原型器件。该p型CuSbSe $_2$ 吸收层具有1.1 eV的光学吸收起始边，在起始边以上0.3 eV处吸收系数约 $10^{5}$ cm $^{-1}$ ，以及空穴浓度约10 $^{17}$ cm $^{-3}$ 。这些初始器件中颇具前景的>3%能量转换效率（Jsc = 20 mA/cm $^2$ ，FF = 0.44，Voc = 0.35 V）受到以下因素限制：限制光电流的体复合、影响填充因子的器件工程问题，以及很可能源于非理想CuSbSe2/CdS能带偏移的光电压亏缺。

关键词

CuSbSe2 光伏器件薄膜太阳能电池溅射能量转换效率吸收层材料能带偏移

引用

@article{arxiv.1505.02311,
  title  = {CuSbSe2 photovoltaic devices with 3% efficiency},
  author = {Adam Welch and Lauryn Baranowski and Pawel Zawadzki and Stephan Lany and Colin Wolden and Andriy Zakutayev},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1505.02311},
  year   = {2015}
}

备注

12 pages, 4 figures, supplementary section

效率达3%的CuSbSe2光伏器件

摘要

关键词

引用

备注

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