通过量子限制与能带折叠改善光吸收：硅基太阳能电池效率的增强

本文从理论上研究了用于太阳能电池的Si/BeSe$_{0.41}$Te$_{0.59}$异质结构中光吸收的改善。首先，利用简单方法我们发现，在厚度高达20 {\AA}的单个（非耦合）量子阱中，光吸收可以得到改善。其次，通过半经验紧束缚方法，我们计算了各种(Si$_{2})_{n}$/(BeSe$_{0.41}$Te$_{0.59})_{m}$ [001]超晶格的电子结构与光学性质。在体Si的带隙中发现了两带界面态。我们的计算表明，光学边带接近体Si的基本带隙，且这些跃迁是光学允许的。