基于扩展Hückel理论的不同尺寸非晶硅量子点(a-Si QDs)的光学性质
材料科学
2016-08-09 v1 物理教育
摘要
实验上已生长出高质量非晶硅(a-Si)纳米结构，以研究a-Si中发光起源和量子限域效应。量子限域效应随量子结构尺寸减小而增大材料带隙，导致光致发光和能量吸收发生蓝移。在此，我们利用扩展Hückel方法计算不同尺寸a-Si样品的基本带隙和光学吸收能量，证明了该效应。结果，当点尺寸从2.2 nm减小到1.0 nm时，吸收光谱峰从2.278 eV移至更高能量3.856 eV。
引用
@article{arxiv.1608.02482,
title = {Optical Properties of Amorphous Silicon Quantum Dots(a-Si QDs) with various dot size using Extended H\"uckel Theory},
author = {K. M. Liu and Setianto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.02482},
year = {2016}
}