嵌入硅纳米晶中光学开关参数与三阶光学非线性的增强：理论评估
材料科学
2016-08-17 v1
摘要
采用原子赝势方法，从理论上研究了嵌入在代表二氧化硅的宽带隙基质中的硅纳米晶（NCs）的三阶束缚电荷电子非线性。考察了从小团簇到尺寸达 3 纳米的纳米晶的非线性折射率、双光子吸收及光学开关参数。与体材料值相比，硅纳米晶表现出更高的三阶光学非线性以及更宽的双光子吸收阈值，从而增强了光学开关参数。
引用
@article{arxiv.0804.2581,
title = {Enhancement of optical switching parameter and third-order optical nonlinearities in embedded Si nanocrystals: a theoretical assessment},
author = {Hasan Yıldırım and Ceyhun Bulutay},
journal= {arXiv preprint arXiv:0804.2581},
year = {2016}
}
备注
8 pages, 3 figures, to be published in Optics Communications