与非桥氧空穴中心相关的非晶SiO2光谱参数
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
在暴露于不同伽马和贝塔射线辐照剂量的多种合成石英样品中，研究了1.9 eV发光与2.0 eV和4.8 eV吸收带之间的关系。我们发现这些光学带的强度呈线性相关，这与它们归属于单一缺陷的模型一致。这一发现使得能够确定与光学跃迁效率相关的光谱参数：4.8 eV的振子强度比2.0 eV的高约200倍；在4.8 eV激发下，1.9 eV发光的量子产率低于在2.0 eV激发下的（约3倍）。这些结果与文献中提出的非桥氧空穴中心的能级方案一致，并解释了紫外和可见光吸收后发生的激发/发光路径。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0503699,
title = {Spectroscopic parameters related to non bridging oxygen hole centers in amorphous-SiO2},
author = {L. Vaccaro and M. Cannas and B. Boizot},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0503699},
year = {2007}
}
备注
5 figures