硅中点缺陷的发光特性
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
对天然合成硅中点缺陷的光学性质进行了综述。两种发射峰分别位于 4.2 eV( 带)和 3.1 eV( 带)，它们与 5.1 eV() 吸收带相关。我们基于其温度依赖性和动力学衰变，对这些发光带进行了实验研究。我们的结果使得能够表征这些发光带的激发路径，并阐明了辐射松弛速率与由单光子激发态到三重激发态之间通过声子辅助的介导跨越过程之间的竞争关系。最终，我们讨论了无定序玻璃基质在影响缺陷光学特性方面所起的作用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0203284,
title = {Luminescence properties of point defects in silica},
author = {Marco Cannas},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0203284},
year = {2007}
}
备注
20 pages, to be published in IOS Press