基于锡注入制备的金刚石单光子发射光学中心
量子物理
2017-09-28 v2 材料科学
摘要
本文报道了通过锡注入和退火在单晶金刚石中制备发光缺陷。通过光致发光强度与注入剂量的关联，将光学中心的相关光谱特征（发射峰位于593.5 nm、620.3 nm、630.7 nm和646.7 nm）归因于锡相关缺陷。利用Hanbury-Brown-Twiss干涉测量法获取其二阶自相关发射函数，对单个锡相关缺陷进行了识别和表征。对其单光子发射机制随激发激光功率变化的研究表明，锡相关缺陷基于三能级系统，辐射衰减寿命为6 ns。在所研究的一部分中心中，观察到闪烁的光致发光发射，表明存在暗态。此外，测量到激发辐射偏振的吸收依赖关系，对比度约为45%。这项工作揭示了一种与金刚石中IV族杂质相关的新型光学中心的存在，其光物理性质与众所周知的Si-V和Ge-V发射体相似，从而提供了从基础和应用角度都具有重要意义的结果。
引用
@article{arxiv.1708.01467,
title = {Single-photon-emitting optical centers in diamond fabricated upon Sn implantation},
author = {S. Ditalia Tchernij and T. Herzig and J. Forneris and J. Küpper and S. Pezzagna and P. Traina and E. Moreva and I. P. Degiovanni and G. Brida and N. Skukan and M. Genovese and M. Jakšić and J. Meijer and P. Olivero},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.01467},
year = {2017}
}
备注
10 pages, 4 figures