天然二氧化硅中紫外激光曝光诱导的光学活性漂白
材料科学
2009-11-10 v1 无序系统与神经网络
摘要
我们报告了两种 OH 含量不同的天然二氧化硅在 Nd:YAG 脉冲激光器发出的紫外光子（4.66 eV）辐照下的实验数据。辐照导致 5.12eV 吸收带及其相关的 3.14eV 和 4.28eV 发射的减少，这些吸收和发射归因于样品中预先存在的二配位锗（=Ge''）中心。这种漂白现象主要是由于 =Ge'' 中心在辐照后通过捕获一个 H 原子转化为顺磁性 H(II) 中心。与文献数据的比较指出了低锗浓度二氧化硅在紫外诱导转变方面的特殊性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0410585,
title = {Bleaching of optical activity induced by UV Laser exposure in natural silica},
author = {M. Cannas and F. Messina},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0410585},
year = {2009}
}
备注
Accepted for publication on Journal of Non crystalline solids