慢离子表面中和引起的硅导带电子激发观测
材料科学
2017-04-05 v2 仪器与探测器
摘要
将裸反偏硅光电二极管暴露于3eV的 He+、Ne+、Ar+、N2+、N+ 与 H2O+ 离子下。在所有情况下均观察到二极管反向电流的增加。该效应及其对入射离子电离能及其他因素的依赖性，在Auger型表面中和理论框架下得到定性解释。在高外加偏压下，利用雪崩光电二极管观察到离子诱导电荷的放大。所观测到的效应可视为离子诱导的内势电子发射进入硅的导带。据我们所知，此前未见此类效应的实验报道。文中讨论了可能的应用。
引用
@article{arxiv.1607.02924,
title = {Observation of electron excitation into silicon conduction band by slow-ion surface neutralization},
author = {S. Shchemelinin and A. Breskin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.02924},
year = {2017}
}
备注
11 pages, 6 figures