无窗硅雪崩光电二极管对 90-900 eV 范围电子的响应
仪器与探测器
2020-12-30 v2
摘要
我们报道了无窗硅雪崩光电二极管在 90-900 eV 能量范围内对电子响应的表征。电子由罗马第三大学 LASEC 实验室中的单能电子枪提供。我们发现雪崩光电二极管产生的电流与撞击其有源表面的电子电流成正比。当二极管偏置为 V 时，增益依赖于电子能量 ，并从 （对应 eV）变化到 （对应 eV）。这是首次将硅雪崩光电二极管用于测量 keV 的电子。
引用
@article{arxiv.2008.07169,
title = {Response of Windowless Silicon Avalanche Photo-Diodes to Electrons in the 90-900 eV Range},
author = {Alice Apponi and Gianluca Cavoto and Marco Iannone and Carlo Mariani and Francesco Pandolfi and Daniele Paoloni and Ilaria Rago and Alessandro Ruocco},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.07169},
year = {2020}
}