微像素雪崩光电二极管单电子性能模型
仪器与探测器
2015-05-07 v3
摘要
提出了一个由单个光电子引发的微像素雪崩光电二极管像素内雪崩过程的近似迭代模型。该模型描述了雪崩过程随时间的发展，考虑了由内部放电和外部再充电电流引起的耗尽区内电场的变化。将建模所得的结论与实验数据进行了比较。模拟表明，放电电流前沿和后沿的典型持续时间具有相同的量级，均小于50 ps。外部再充电电流的前沿具有相同的持续时间，然而其后沿的持续时间取决于淬灭微电阻的值。研究发现，根据脉冲电荷与偏置电压线性关系的斜率计算出的像素有效电容比其实际电容大两倍，而像素总电压降等于偏置过电压值的两倍。
引用
@article{arxiv.1410.2619,
title = {Model of single-electron performance of micropixel avalanche photodiodes},
author = {Z. Sadygov and Kh. Abdullaev and G. Akhmedov and F. Akhmedov and S. Khorev and R. Mukhtarov and A. Sadigov and A. Sidelev and A. Titov and F. Zerrouk and V. Zhezher},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.2619},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 10 figures; added comparison with existing models, new modelling results, experimental device details, new references