确定硅光电倍增管雪崩击穿电压的新方法
仪器与探测器
2020-02-04 v1
摘要
考虑了硅 p-n 结的雪崩击穿与盖革模式。提出了一种精确的、基于物理动机的方法,用于确定硅光电倍增管(Si PM)的雪崩击穿电压。该方法基于在一种载流子(电子或空穴)被注入 p-n 结的雪崩倍增区时,测量相对光子探测效率(PDErel)对偏置电压的依赖关系。利用短波或长波光从 Si PM 半导体结构的基区注入电子或空穴。在低过压(1-2 V)下,探测效率与偏置电压呈线性依赖;因此,外推至 PDErel 为零的值可确定 Si PM 雪崩击穿电压,精度在几毫伏以内。
引用
@article{arxiv.2002.00685,
title = {New method for determining avalanche breakdown voltage of silicon photomultipliers},
author = {Igor Chirikov-Zorin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.00685},
year = {2020}
}