大面积硅光电倍增管的特性表征
仪器与探测器
2020-01-10 v4
摘要
本工作阐述并比较了测量硅光电倍增管（SiPM）最相关参数的一些方法，例如作为过电压和波长函数的光子探测效率、暗计数率、光学串扰、后脉冲概率。对于击穿电压 的测量，比较了几种使用电流-电压 曲线的方法，如“IV 模型”、“相对对数导数”、“反对数导数”、“二阶对数导数”和“三阶导数”模型。我们还展示了其中一些特性如何能用少量参数很好地描述，并允许例如构建描述光电探测效率的波长和过电压的函数。这对于在确定 SiPM 工作点时至关重要，在外部因素可能影响工作点的应用中尤为如此。这些方法应用于与 Hamamatsu 合作开发、并被用于称为 SST-1M 的伽马射线望远镜相机的大面积单片六边形 SiPM S10943-2832(X)。我们描述了该器件在室温下的性能测量。此处使用的方法可应用于任何其他器件，且此处讨论的物理背景具有相当的普适性，对参数的大相空间均有效。
引用
@article{arxiv.1810.02275,
title = {Characterisation of a large area silicon photomultiplier},
author = {A. Nagai and C. Alispach and A. Barbano and V. Coco and D. della Volpe and M. Heller and T. Montaruli and S. Njoh and Y. Renier and I. Troyano-Pujadas},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.02275},
year = {2020}
}