硅光电倍增管的特性研究
仪器与探测器
2015-03-13 v2 高能物理 - 实验
摘要
本文描述了一套已开发的实验装置，用于测量和表征硅光电倍增管（SiPM）的特性。所测量的SiPM特性对于多种潜在应用具有普遍意义，包括光子探测效率（PDE）、电压依赖的串扰以及后脉冲概率。利用所述装置，可以确定绝对PDE作为波长的函数，覆盖350至1000 nm的光谱范围。此外，还提出了一种方法，用于研究像素在灵敏度和增益空间变化方面的均匀性。本文展示并比较了来自多种商用SiPM——三个HAMAMATSU MPPC和一个SensL SPM——的测量结果。
引用
@article{arxiv.1003.6071,
title = {Characterisation Studies of Silicon Photomultipliers},
author = {Patrick Eckert and Hans-Christian Schultz-Coulon and Wei Shen and Rainer Stamen and Alexander Tadday},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.6071},
year = {2015}
}
备注
11 pages, 21 figures, submitted to Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A