硅光子多极管在低温下的性能
仪器与探测器
2025-01-13 v2 原子物理
摘要
我们 presented了对硅光子多极管(SiPM)在90~mK至40~K温度范围内表征的实验结果。测试了两款硅光子多极管：一款来自ONSEMI，另一款来自Hamamatsu Photonics。确定了工作电压范围、暗电流、后脉冲效应以及光子探测效率(PDE)，通过275nm和470~nm光通过光纤输入至干盒中进行照明。一块低温闸门提供了真正的暗条件，遮挡了室温热辐射，冻结了芯片中的热激发。在该条件下观察到第二次隧穿击穿，这在20-30 K温度下显著限制了工作电压范围。在约5 K以下，两种SiPM均恢复到3-5 V的工作过电压范围。我们发现芯片在整个测试温度范围内正常工作，且能够承受热循环而无显著性能退化。
引用
@article{arxiv.2501.03812,
title = {Performance of Silicon photomultipliers at low temperatures},
author = {Otto Hanski and Tom Kiilerich and Sampsa Ahopelto and Aleksei Semakin and Janne Ahokas and Viacheslav Dvornichenko and Sergey Vasiliev},
journal= {arXiv preprint arXiv:2501.03812},
year = {2025}
}
备注
10 pages, 8 figures