硅光电倍增管在不同温度下的性能研究
仪器与探测器
2021-03-17 v1 高能物理 - 实验
摘要
降低硅光电倍增管（SiPM）的工作温度会导致其暗噪声下降。一些实验将低温视为 SiPM 低噪声应用的一种选择。其中之一是 TAO 探测器，其需要在 C 下运行。已有报道指出 SiPM 的光子探测效率（PDE）在不同温度下存在显著依赖关系，并在该温度附近急剧下降。在本文中，我们展示了在宽温度范围内对来自 Hamamatsu 和 AdvanSID(FBK) 公司的两种 SiPM 样品的性能研究。未观察到 PDE 的显著差异。
引用
@article{arxiv.2005.10665,
title = {Study of Silicon Photomultiplier Performance at Different Temperatures},
author = {N. Anfimov and D. Fedoseev and A. Rybnikov and A. Selyunin and S. Sokolov and A. Sotnikov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.10665},
year = {2021}
}
备注
Keywords: Silicon Photomultiplier - SiPM, Photon Detection Efficiency - PDE, Dark Count Rate - DCR, PDE temperature dependence