硅光电倍增管的增益稳定化

Gerald Eigen

硅光电倍增管的增益稳定化

仪器与探测器 2017-10-09 v2

作者: Gerald Eigen

摘要

硅光电倍增管(SiPM)的增益随偏置电压升高而增大，随温度升高而减小。为使SiPM在稳定增益下工作，可调节偏置电压以补偿温度变化。我们在CERN的气候室中，对来自三家制造商(Hamamatsu、KETEK、CPTA)的30个SiPM测试了这一概念，温度变化范围为 $1^\circ \rm C$ 至 $50^\circ \rm C$ 。我们构建了一个自适应电源，采用偏置电压线性温度依赖的再调节方式。通过一种选定的偏置电压再调节方案，我们同时稳定了四个SiPM。我们实现了目标，即在 $20^\circ \rm C-30^\circ \rm C$ 温度范围内，将大多数被测SiPM的增益稳定性偏差限制在 $\pm 0.5\%$ 以下。我们还研究了不同温度和偏置电压下SiPM的后脉冲现象。

关键词

硅光电倍增管增益稳定化偏置电压补偿温度依赖性后脉冲自适应电源

引用

@article{arxiv.1710.01648,
  title  = {Gain Stablization of SiPMs},
  author = {Gerald Eigen},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1710.01648},
  year   = {2017}
}

备注

20 pages, 18 figures, Talk presented at the APS Division of Particles and Fields Meeting (DPF 2017), July 31-August 4, 2017, Fermilab. C170731

硅光电倍增管的增益稳定化

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关键词

引用

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