硅光电倍增管模型的精确解及其在测量中的应用
仪器与探测器
2017-11-01 v1
摘要
暗计数率与关联噪声率是表征硅光电倍增管（SiPM）的主要参数之一。通常，这些参数是通过将近似公式或拟合特定模型应用于测得的 SiPM 噪声谱来评估的。本文提出一种新方法，从暗计数与关联噪声生成的统计模型导出精确公式。该方法使人能从暗谱中仅前几个峰的面积测量出此类参数的真值。数值分析显示了该方法的准确性。
引用
@article{arxiv.1710.11410,
title = {Exact solutions for silicon photomultipliers models and application to measurements},
author = {Enrico Junior Schioppa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.11410},
year = {2017}
}
备注
11 pages, 5 figures