硅光电倍增管非线性响应的建模
仪器与探测器
2019-09-04 v2 高能物理 - 实验
核实验
医学物理
摘要
本文提出了一种硅光电倍增管非线性响应的统计模型。该模型包含了像素恢复期间光电探测效率与增益两者的损失，以及相关与不相干噪声的影响。该模型可给出任意形状入射光脉冲下 SiPM 的平均输出电荷，或连续光下的输出电流。SiPM 响应对过压与脉冲形状的依赖关系也得到了恰当描述。该模型已使用 LYSO 晶体的闪烁光脉冲以及 LED 的连续光，对两种不同硅光电倍增管进行了验证。在中等非线性下与实验数据吻合良好。
引用
@article{arxiv.1905.06032,
title = {Modelling the Nonlinear Response of Silicon Photomultipliers},
author = {Jaime Rosado},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.06032},
year = {2019}
}
备注
9 pages. Preprint submitted to IEEE Sensors Journal