高光子曝光下SiPM的过饱和行为
仪器与探测器
2013-11-25 v3
摘要
将几种类型的硅光电倍增管暴露于短脉冲激光（约30 ps FWHM）下，其强度从单光子变化到远高于器件的微元数量。我们观察到SiPM的输出与预期行为存在显著偏差，尽管这种响应曲线被认为是相当简单的。我们还注意到，输出超过了最大预期脉冲高度（应定义为像素总数乘以单光子脉冲高度）。在我们测试的最高光强（约500倍像素数）下，信号输出达到最大理论脉冲高度的两倍，并且仍未完全饱和。
引用
@article{arxiv.1304.2493,
title = {Over saturation behavior of SiPMs at high photon exposure},
author = {L. Gruber and S. E. Brunner and J. Marton and K. Suzuki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.2493},
year = {2013}
}