硅光电倍增管在非线性区域的性能研究

硅光电倍增管因其有限的像素数和工作在盖革模式下而呈现饱和效应。它们在非线性区域对光脉冲的响应非常复杂，原因有二：雪崩后的像素再充电影响后续雪崩的触发概率和电荷倍增，以及由串扰和后脉冲引起的非平凡效应。我们开发了一种硅光电倍增管非线性响应的参数化方法，其中上述效应均被妥善考虑。该模型在使用不同闪烁晶体和探测器组合的伽马射线能谱测量装置上进行了测试。模型参数根据装置的基本特性（例如闪烁晶体的寿命和像素恢复时间）进行了解释。文中给出了从信号分辨率到能量分辨率的正确转换方法。