SiPM 响应模拟 第二部分：含饱和效应
高能物理 - 实验
2023-09-21 v1 仪器与探测器
摘要
本文给出一个蒙特卡洛程序，用于模拟 SiPM 在非线性区间的响应，其中在由单次盖革放电脉冲形状给定的时间间隔内，来自光子和/或暗计数的盖革放电数目接近或超过 SiPM 像素数目。该模型包含后脉冲、瞬发与延迟串扰、以及读出电子学负载电阻上的电压降效应。模拟程序的结果与已发表的、具有不同像素数目的 SiPM 在以下条件下的结果进行比较：不同的光子强度与时间分布、暗计数率、SiPM 脉冲形状、以及串扰与后脉冲概率。
引用
@article{arxiv.2309.11153,
title = {Simulation of the response of SiPMs Part II: with saturation effects},
author = {Robert Klanner},
journal= {arXiv preprint arXiv:2309.11153},
year = {2023}
}
备注
17 pages, 10 figures, 3 tables