硅光电倍增管中串扰的建模
仪器与探测器
2015-06-12 v1
摘要
光学串扰严重限制了硅光电倍增管的光子计数分辨率。本文提出了描述串扰对这些光电探测器响应影响的现实解析模型，并与实验数据进行了比较。所提出的模型基于以下假设：阵列中的每个像素仅有有限数量的相邻像素可通过串扰被激发。针对不同邻域构型，模型中考虑了死时间效应以及串扰在邻居间传播的几何方面。此外，还给出了用于解释串扰对脉冲高度谱影响的简单表达式，以及评估由串扰引起的过剩噪声因子的方法。我们在暗计数条件和脉冲照明条件下进行了专门测量。此外，研究了后脉冲对测量脉冲高度谱的影响，并报告了像素恢复时间的测量结果。通过详细的波形分析获得了高分辨率脉冲高度谱，并利用这些结果验证了我们的串扰模型。
引用
@article{arxiv.1302.1455,
title = {Modeling crosstalk in silicon photomultipliers},
author = {L. Gallego and J. Rosado and F. Blanco and F. Arqueros},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.1455},
year = {2015}
}
备注
21 pages, 13 figures