基于脉冲高度谱的 SiPM 表征
仪器与探测器
2017-02-22 v2 高能物理 - 实验
摘要
我们开发了一些方法，利用在暗场和脉冲光照射下测量的 SiPM 脉冲高度谱，来确定脉冲形状、暗计数率、增益、引发 Geiger 放电的平均光子数、瞬发串扰和后脉冲的概率，以及电子学噪声和像素间与像素内的增益波动。整个脉冲高度谱，包括对应于不同数量 Geiger 放电的峰之间的背景区域，均由单个函数描述。作为演示，该模型被用于表征一个具有 4382 个 15 \mu m x 15 \mu m 面积像素的 KETEK SiPM，工作电压在 20{\deg}C 下高于击穿电压 2.5 至 8 V 之间。将结果与其他表征 SiPM 的方法进行了比较。最后，给出了示例说明如何利用脉冲高度谱的完整描述来优化 SiPM 的工作电压，并提出了一种适用于大规模应用的 SiPM 原位校准和监测方法。
引用
@article{arxiv.1609.01181,
title = {On the characterisation of SiPMs from pulse-height spectra},
author = {V. Chmill and E. Garutti and R. Klanner and M. Nitschke and J. Schwandt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.01181},
year = {2017}
}
备注
18 pages 11 figures 2 appendices