高度辐射损伤SiPM的分析方法

由KETEK生产的具有$15 \times 15~\mu$m$^2$尺寸4384像素的SiPM原型，已用反应堆中子辐照至$10^9$至$5\times 10^{14}$ cm$^{-2}$之间的八个注量。在$-30~^\circ$C到$+30~^\circ$C的温度范围内，进行了电容-电压、导纳-频率、电流-正向电压、电流-反向电压以及有无亚纳秒激光照射下的电荷-电压测量。为提取电学参数、击穿电压、电流产生激活能、暗计数率和对光脉冲的响应随中子注量和温度的变化关系，数据已用不同方法进行分析。比较了不同分析方法所得的结果。