基于单像元读出的 SiPM 辐射硬度研究

E. Garutti; E. Popova; P. Parygin; O. Bychkova; A. Kaminsky; S. Martens; J. Schwandt; A. Stifutkin

基于单像元读出的 SiPM 辐射硬度研究

仪器与探测器 2021-11-02 v1 高能物理 - 实验

作者: E. Garutti , E. Popova , P. Parygin , O. Bychkova , A. Kaminsky , S. Martens , J. Schwandt , A. Stifutkin

摘要

设计并测量了一种专用的单像元 SiPM 结构，以研究辐照损伤对暴露于反应堆中子注量高达 $\Phi$ = 5e13 cm $^{-2}$ 的 SiPM 的增益与关断电压的影响。该像元间距为 15 $\mu$ m。文中给出了增益与关断电压对注量的依赖关系。在 $\Phi$ = 5e13 cm $^{-2}$ 后，观察到增益降低 19%，且 $V_{off}$ 增加约 0.5 V。

关键词

SiPM 辐射硬度单像元读出中子注量增益关断电压

引用

@article{arxiv.2111.00483,
  title  = {Radiation hardness study using SiPMs with single-cell readout},
  author = {E. Garutti and E. Popova and P. Parygin and O. Bychkova and A. Kaminsky and S. Martens and J. Schwandt and A. Stifutkin},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2111.00483},
  year   = {2021}
}

备注

6 pages, 11 figures

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