SiPM 中的辐射损伤均匀性
仪器与探测器
2022-08-31 v1
摘要
设计并测量了一种专用的单像元 SiPM 结构，以研究辐照至反应堆中子注量达 = 5e13 cm 的 SiPM 在增益和击穿电压上的辐射损伤效应。该像元间距为 15 m。给出了 IV 曲线测量与分析的结果。研究了自加热效应的影响。在高达 = 1.7 V 的条件下检查了 1 个像元与 120 个像元的辐射损伤均匀性。提取了由电流测量得到的击穿电压 的注量依赖关系，并与由增益测量得到的击穿电压 进行比较。
引用
@article{arxiv.2205.00725,
title = {Radiation damage uniformity in a SiPM},
author = {O. Bychkova and E. Garutti and E. Popova and A. Stifutkin and S. Martens and P. Parygin and A. Kaminsky and J. Schwandt},
journal= {arXiv preprint arXiv:2205.00725},
year = {2022}
}
备注
arXiv admin note: text overlap with arXiv:2111.00483