基于模型的SiPM击穿电压直流分析
仪器与探测器
2017-01-26 v4
摘要
提出了一种确定SiPM击穿电压的新方法。该方法由一个直流模型支持，该模型通过不同的雪崩开启电压()和关断电压()来描述击穿现象。研究表明，与此前直流方法从简单反向电流-电压测量中推导出的“击穿电压”相关，而则是通常从复杂增益-电压测量中获得的“真实”击穿电压。所提出的方法揭示了微单元群体在和周围的分布情况。研究发现，若假设该分布为正态分布，则这两个电压甚至其标准偏差均可轻易地从电流-电压曲线中提取。测量结果与理论模型吻合良好。
引用
@article{arxiv.1606.07805,
title = {A model based DC analysis of SiPM breakdown voltages},
author = {Ferenc Nagy and Gyula Hegyesi and Gabor Kalinka and Jozsef Molnar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.07805},
year = {2017}
}