单光子雪崩二极管的受激二次发射
仪器与探测器
2024-09-27 v2
摘要
下一代大面积物理实验依赖于使用硅光电倍增管（SiPM）器件来探测单光子，这些光子会触发电荷雪崩。当电荷雪崩过程中产生的二次光子从SiPM逃逸并触发探测器系统中的其他器件时，就会产生外部串扰噪声机制。本工作展示了在接近工作电压下，由激光光激发的Hamamatsu VUV4和Fondazione Bruno Kessler VUV-HD3 SiPM发射的二次光子的测量光谱。该工作描述了为此目的构建的实验装置——微注射与发射显微镜（MIEL）系统。测量在过电压值范围以及86 K至293 K的温度下进行。根据测量光谱计算了源处每次雪崩产生的光子数，确定在4伏过电压下，VUV4和VUV-HD3每次雪崩分别产生40±9和61±11个光子。在测量不确定度内未观察到显著的温度依赖性。还报告了每个SiPM器件每次雪崩发射的光子总数。
引用
@article{arxiv.2402.09634,
title = {Stimulated Secondary Emission of Single Photon Avalanche Diodes},
author = {Kurtis Raymond and Fabrice Retière and Harry Lewis and Andrea Capra and Duncan McCarthy and Austin de St Croix and Giacomo Gallina and Joe McLaughlin and Juliette Martin and Nicolas Massacret and Paolo Agnes and Ryan Underwood and Seraphim Koulosousas and Peter Margetak},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.09634},
year = {2024}
}
备注
16 pages, 14 figures