用于nEXO的硅光电倍增管表征
仪器与探测器
2015-08-25 v2 高能物理 - 实验
核实验
摘要
硅光电倍增管(SiPMs)是下一代液氙双β衰变实验（如nEXO）中光探测器的有吸引力候选者。本文中，我们讨论了SiPMs为适用于nEXO及类似实验必须满足的要求，描述了nEXO合作组运行的两个测试装置，并给出了多家供应商SiPMs的表征结果。特别地，我们发现对于测试的FBK和Hamamatsu器件，在氙闪烁光发射峰值(175-178 nm)处的光子探测效率接近nEXO要求。此外，nEXO合作组使用中子活化分析对几克裸FBK器件进行了放射性分析，表明40K、232Th和238U的活度水平分别约为<0.15、 (6.9e10-4 - 1.3e10-2)和<0.11 mBq/kg。
引用
@article{arxiv.1502.07837,
title = {Characterization of Silicon Photomultipliers for nEXO},
author = {I. Ostrovskiy and F. Retiere and D. Auty and J. Dalmasson and T. Didberidze and R. DeVoe and G. Gratta and L. Huth and L. James and L. Lupin-Jimenez and N. Ohmert and A. Piepke},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.07837},
year = {2015}
}
备注
Version as accepted to Transaction of Nuclear Science. 12 pages, 15 figures (one figure removed following peer review), 8 tables (1 table added following peer review)