硅光电倍增管暗计数的空间分辨特性
仪器与探测器
2018-12-05 v1
摘要
硅光电倍增管（SiPM）是一种在多种应用中颇具前景的光电探测器。然而，SiPM的高暗计数率（DCR）仍是一个现实问题。降低DCR将显著拓宽其可能的应用范围。本工作中，我们提出了一种用于SiPM中晶体缺陷空间分辨表征的新方法。利用“热载流子发光”（HCL）效应（即雪崩光电二极管（SiPM微元）在盖革模式工作期间发出的光）来评估晶体缺陷对DCR的贡献。在SiPM微元的活跃区域内识别出具有增强光发射强度的空间局域区域（热点）。通过将检测到的光强与DCR相关联，可将高达56%的DCR贡献归因于不到5%的微元。对发射光温度依赖性的分析表明，肖克利-里德-霍尔产生是热点出现的主导机制。本工作的动机是深入理解热点起源，以抑制其对SiPM的DCR的贡献。
引用
@article{arxiv.1807.04113,
title = {Spatially Resolved Dark Count Rate of SiPMs},
author = {Eugen Engelmann and Elena Popova and Sergey Vinogradov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.04113},
year = {2018}
}