低能离子轰击下Si(100)表面的异常图案形成
介观与纳米尺度物理
2015-06-04 v1 材料科学
摘要
本文研究了低能离子轰击下硅表面形貌的演化，入射角在63°至83°的高斜角范围内。Si(100)衬底暴露于500 eV的氩离子。随着入射角增大，出现不同的表面形貌。在67°以下观察到平行模式波纹，在80°时转变为垂直模式波纹。然而，这种转变并非突变，而是在中间角度经历了一系列异常图案形成。在入射角超过80°时观察到硅表面完全平滑化。观察到的图案归因于离子轰击下的表面受限粘性流动和溅射侵蚀。
引用
@article{arxiv.1202.5381,
title = {Unusual pattern formation on Si(100) due to low energy ion bombardment},
author = {Tanmoy Basu and Jyoti Ranjan Mohanty and T. Som},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.5381},
year = {2015}
}
备注
17 pages, 5 figures