Si(001) 上 keV 离子诱导的图案形成是否由金属杂质引起？
介观与纳米尺度物理
2010-01-27 v2 材料科学
摘要
我们介绍了在超高真空条件下进行的离子束侵蚀实验，实验使用差分泵浦离子源，并确保离子束仅轰击 Si(001) 样品。在这些条件下，使用 2 keV 的 Kr 离子和 2 x 10^22 离子/平方米的注量，在相对于全局表面法线小于 45 度的角度下，Si 表面没有形成离子束图案。事实上，离子束诱导了预先形成图案的平滑化。在此角度范围内同时溅射沉积不锈钢会产生各种图案，类似于先前归因于清洁离子束诱导表面轮廓失稳的图案。只有在入射角介于 60 度到 83 度之间的掠射条件下，才会形成明显的离子束图案。看来，在清洁离子束侵蚀条件下，Si(001) 抵抗图案形成的角度依赖性稳定性与溅射产额的角度依赖性有关，而非主要与连续理论模型中经常引用的曲率依赖产额有关。
引用
@article{arxiv.0912.0890,
title = {Is keV ion induced pattern formation on Si(001) caused by metal impurities?},
author = {Sven Macko and Frank Frost and Bashkim Ziberi and Daniel F. Förster and Thomas Michely},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.0890},
year = {2010}
}
备注
15 pages, 7 figures. This is an author-created, un-copyedited version of an article published in Nanotechnology. IOP Publishing Ltd is not responsible for any errors or omissions in this version of the manuscript or any version derived from it