ripples 如何演变为 dots: 面对斜入射离子束侵蚀的建模
材料科学
2009-11-11 v2 统计力学
摘要
本文理论地研究了在正常和斜入射条件下, 由低能离子束引起的半导体表面图案形成机制. 采用基于随机、非局域、各向异性 Kuramoto-Sivashinsky 方程的连续模型进行分析. 根据参数大小,该模型可表现出六边形有序的点、纹理、较不规则以及相当光滑的图案. 我们研究了这些状态之间的转变行为, 并建议如何进行实验检测.
引用
@article{arxiv.cond-mat/0509437,
title = {How ripples turn into dots: modeling ion-beam erosion under oblique incidence},
author = {Sebastian Vogel and Stefan J. Linz},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0509437},
year = {2009}
}
备注
11 pages, 4 figures, submitted for publication, revised version