掠入射离子束溅射在硅表面形成波纹图案
材料科学
2009-04-09 v1 其他凝聚态物理
摘要
固体表面的偏离法向低能离子束溅射常导致形态不稳定性，从而在纳米尺度上自发形成波纹结构。在环境温度下的硅表面，通常发现波纹形成发生在较低的入射角，波矢平行于离子束方向。较大角度下硅表面缺乏波纹图案是由于离子束抛光效应的主导。我们表明，对起始表面形态进行温和的化学粗糙化，可以在掠入射离子束溅射下引发波纹图案，此时波纹波矢垂直于离子束方向。研究了垂直模式波纹的特征与原始表面粗糙度和离子通量的函数关系。通过分析离子诱导的拓扑缺陷来评估形态结构的质量。
引用
@article{arxiv.0904.1311,
title = {Formation of ripple pattern on silicon surface by grazing incidence ion beam sputtering},
author = {Safiul A. Mollick and D. Ghose},
journal= {arXiv preprint arXiv:0904.1311},
year = {2009}
}