MeV 离子诱导的纳米岛-半导体表面应变
材料科学
2015-06-25 v1
摘要
表面和界面应变在材料的光学和电子性质中发挥重要作用。我们使用透射电子显微镜 (TEM) 和表面敏感 X 射线衍射来确定单晶硅基板和 Ag (纳米岛)/Si(111) 表面及界面处的离子诱导应变。Ag 纳米岛是在高真空条件下使用热蒸发在 various 表面处理下生长的。辐照使用 1.5 MeV Au^{2+} 离子在 various 剂量和入射角度下进行。选区电子衍射 (SAED) 和晶格成像 (使用 TEM) 用于确定表面和界面的应变。讨论了使用表面敏感的非对称 X 射线 Bragg 反射方法的初步结果。TEM 结果直接表明，硅晶体晶格由于离子诱导效应而收缩。纳米岛遮蔽了离子束导致硅基板下方的应变较小。高分辨率晶格成像也用于确定由离子辐照造成的无定形区周围的应变。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0503091,
title = {MeV ion-induced strain at nanoisland-semiconductor surface and interfaces},
author = {J. Ghatak and B. Satpati and M. Umananda and P. V. Satyam and K. Akimoto and K. Ito and T. Emoto},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0503091},
year = {2015}
}
备注
11 papes, 4 figures, Submitted as contributary paper in INDO-GERMAN Workshop at NSC, New Delhi, India held from 20-24th Feb.,2005