低能离子溅射制备有序硅纳米晶
材料科学
2009-11-07 v1 统计力学
摘要
我们报道了通过用1.2 keV Ar离子垂直辐照Si(100)衬底来制备有序硅纳米结构组装体。原子力显微镜和高分辨透射电子显微镜显示，这些硅结构是晶态的，高度均匀，并自发排列成短程六方有序。在长时间辐照（长达16小时）下，所有量子点的特征基本保持不变，并在长波长处发展出小的波纹。我们将量子点的形成解释为由于溅射产额对局部表面曲率的依赖性所导致的不稳定性结果。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0106542,
title = {Production of ordered silicon nanocrystals by low-energy ion sputtering},
author = {Raul Gago and Luis Vazquez and Rodolfo Cuerno and Maria Varela and Carmen Ballesteros and Jose M. Albella},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0106542},
year = {2009}
}
备注
4 two-column pages (revtex4), 3 figures (higher quality copies in the printed jrnl. version)