非晶氢化氮化硅中由动态电子能量损失引起的离子径迹形貌演化

用100 MeV Ni$^{7+}$辐照非晶氢化氮化硅（$\textit{a}$-SiN$_\mathrm{\textit{x}}$:H）薄膜，在较低注量$5\times{10^{12}}$ ions/cm$^2$下形成连续的离子径迹结构，而在较高注量$1\times{10^{14}}$ ions/cm$^2$下径迹结构碎裂为不连续的类离子径迹结构。在高注量$1\times{10^{14}}$ ions/cm$^2$下观察到不连续的类离子径迹结构，清楚地表明较高注量辐照未必总会导致低注量下形成的微观结构消失。这些结果基于辐照过程中由薄膜中氢的外扩散以及$\textit{a}$-SiN$_\mathrm{\textit{x}}$:H薄膜密度的持续增加所引起的动态电子能量损失（S$_e$）得以理解。