用于新型电子器件应用的单晶硅纳米颗粒的等离子体合成
等离子体物理
2009-11-10 v1 原子与分子团簇
摘要
直径数十纳米的单晶硅纳米颗粒，可作为单纳米颗粒电子器件的构建单元。先前对低压等离子体中产生的纳米颗粒的研究已证明可合成直径2-10 nm的纳米晶体，但较大颗粒为非晶或多晶。本工作报道使用受限丝状电容耦合低压等离子体产生直径20-80 nm的单晶硅纳米颗粒。颗粒高度取向，以立方形状为主。粒径分布相当单分散。电子显微镜研究确认这些纳米颗粒为高度取向的金刚石立方硅。
引用
@article{arxiv.physics/0410038,
title = {Plasma synthesis of single crystal silicon nanoparticles for novel electronic device applications},
author = {Ameya Bapat and Curtis Anderson and Christopher R. Perrey and C. Barry Carter and Stephen A. Campbell and Uwe Kortshagen},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0410038},
year = {2009}
}
备注
accepted for publication in Plasma Physics and Controlled Fusion, scheduled for Dec. 2004 Fu