超薄晶体硅薄膜的制备技术
仪器与探测器
2007-05-23 v1
摘要
我们为低能电子产生的参量X射线实验制备了自支撑膜形状的超薄晶体靶。本文简要描述了为制备硅晶体薄膜而开发的技术以及薄膜厚度的测量方法。实现了在2x2毫米、厚度约200微米的硅基底上支撑的直径1.0毫米、厚度约0.5微米的薄膜。所开发的薄晶体膜制备技术也可应用于制造各种含膜传感器。
引用
@article{arxiv.physics/0508079,
title = {Technology for Production of Ultra-Thin Crystal Silicon Membranes},
author = {V. B. Vyssotsky and E. V. Lobko and A. S. Lobko},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0508079},
year = {2007}
}
备注
3 pages, 2 figures