薄硅膜的亚阈值场致发射
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
我们报道了薄硅膜中显著增强的电子倍增现象。该器件被配置为用于电子倍增的透射型膜。在膜的发射侧施加亚阈值电场，可使发射的电子数量增加两个数量级。这种增强源于由入射粒子激发的场致发射电子，这表明硅膜堆叠可构成超高灵敏度的电子倍增器。
引用
@article{arxiv.0708.3647,
title = {Sub-Threshold Field Emission from Thin Silicon Membranes},
author = {Hua Qin and Hyun-Seok Kim and Michael S. Westphall and Lloyd M. Smith and Robert H. Blick},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.3647},
year = {2009}
}
评论
4 pages, 3 figures, submit to Appl. phys. Lett. (2007)