由漂浮在液氦上的电子构成的非常规场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2018-10-26 v3
摘要
我们报道了一种由漂浮在超流氦表面上方电子构成的非常规 场效应晶体管。利用该器件实现了独特的输运 regime，其中电子层的电荷密度可以以其他材料体系无法实现的方式被控制。特别地，我们能够操纵电子的集体行为，产生高度非均匀但精确受控的电荷密度，从而揭示出负的源-漏电流。这种行为可通过考虑沿由晶体管源极和漏极电极上方及之间的非均匀二维电子片所形成的传输线上的阻尼电荷振荡的传播来理解。
引用
@article{arxiv.1807.04828,
title = {Unconventional field-effect transistor composed of electrons floating on liquid helium},
author = {K. Nasyedkin and H. Byeon and L. Zhang and N. R. Beysengulov and J. Milem and S. Hemmerle and R. Loloee and J. Pollanen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.04828},
year = {2018}
}
备注
6 pages, 4 figures